2026년 선도형 양자공정 오픈팹 인프라 구축 사업 지원기업 모집 공고

[대전테크노파크 공고 제 2026-01-0097호]

「선도형 양자공정 오픈팹 인프라 구축 사업」지원기업 모집 공고

(재)대전테크노파크에서는 선도형 양자공정 오픈팹의 활성화를 위해, 수요 연계

가능한 양자전환 기업 및 스타트업을 발굴·육성하고자 관련 지원과제를 아래와

같이 안내드리오니 관심 있는 기업들의 많은 참여를 바랍니다.

2026.06. .

대전테크노파크원장

Ⅰ 모집개요

사 업 명 : 선도형 양자공정 오픈팹 인프라 구축 사업

사업기간 : 2026. 7. ~ 2026. 10.

지원대상 : 양자관련 산업전환 기업 및 스타트업 기업*(양자팹 활용 예정기업)

– 대전 소재기업의 경우 우대가점 적용

– 현재 양자팹은 인프라 구축 중으로 현재 수요가 아닌 향후 활용수요가 있을 기업을 발굴, 지원함

지원내용

세부사업 │ 지원 내용

– 양자 전환 및 스타트업 컨설팅 지원

– 핵심기술 기술이전 지원 및 사업화 지원

양자전환 스타트업

– 양자 관련 시제품 제작, 시험분석, 인증지원

기업지원

– 그 외 기업이 필요로 하는 지원 프로그램 등(담당자와 사전협의 필요)

– 양자분야 관련 기획지원(양자관련 국가 R&D 및 비R&D과제 사업 기획지원 등)

지원규모

세부 사업 │ 지원규모 │ 지원건수 기업부담금*

대전소재 이외의

양자전환 스타트업 │ 기업일 경우

지원기업별 12백만원 내외 2개사 내외 지원금의 10% 이상

기업지원 │ (대전소재 기업일

경우 제외)

– 부가가치세 및 기업이 환급받는 금액에 대해서는 사업비 지원 불가

– 지원사업비는 사후지급으로 지원기업에서 사업비, 기업부담금을 선 집행해야 하며 사업이 종료된

후 지원내용에 대해 최종평가 결과가 “적정” 인 경우에 한하여 지원사업비 지급

지원 제외대상

공통사항

－ 세무당국에 의하여 국세, 지방세 등의 체납처분을 받은 경우

(단, 중소기업진흥공단 및 신용회복위원회(재창업지원위원회)를 통해 재창업자금

을 지원받은 경우와 신용보증기금 및 기술신용보증기금으로부터 재도전기업주

재기지원보증을 받은 경우는 예외로 한다)

－ 민사집행법에 기하여 채무불이행자명부에 등재되거나, 은행연합회 등 신용정보

집중기관에 채무불이행자로 등록된 경우

(단, 중소기업진흥공단 및 신용회복위원회(재창업지원위원회)를 통해 재창업자금

을 지원받은 경우와 신용보증기금 및 기술신용보증기금으로부터 재도전기업 중

재기지원보증을 받은 경우는 예외로 한다)

－ 파산ㆍ회생절차ㆍ개인회생절차의 개시 신청이 이루어진 경우

(단, 법원의 인가를 받은 회생계획 또는 변제계획에 따른 채무변제를 정상적으로

이행하고 있는 경우는 예외로 한다.)

－ 지원목표 및 내용이 기개발/기지원 과제와 중복된 경우

－ 국가연구개발사업 참여제한 중인 자 또는 기관(기업)이 참여하는 경우

－ 타 지역 이전 예정 기업(사업종료일 기준 타지역으로 이전 시 지원금 지급대상에서 제외)

Ⅱ 지원절차

지원절차

결과통보 및

과제신청 │ 선정평가 │ 수정사업 │ 협약체결 │ 과제수행

계획서 제출

대전TP,

기업Ø대전TP è 대전TP è 대전TPØ기업 è │ è 선정기업

지원기업

선정평가 결과

지원기업 │ 원가조사 및 사업계획서에

신청서류제출 │ 통보 및 수정

선정평가(서면) │ 협약체결 따른 과제수행

사업 계획서 제출

지원사업비

중간점검 │ 결과보고 │ 최종평가 │ 사후관리

지급

대전TP,

è 대전TPØ기업 è 기업Ø대전TP è 대전TP è 대전TPØ기업 è 선정기업

지원기업 │ 결과보고서/

과제수행

중간점검 사업비 집행내역 │ 사업비 지급 성과모니터링 등

결과평가

(필요시) │ 제출 등

상기 추진일정은 사업추진 상황에 따라 변경될 수 있음

Ⅲ 모집방법

공고기간 : 2026.06.11.(목) ~ 2026.07.09.(목)

접수기간 : 2026.06.11.(목) ~ 2026.07.09.(목) 18:00 限 / 온라인 등록

접수방법

– 신청서 다운로드 및 접수 : 대전기업정보포털(www.dips.or.kr)

①접수 시스템 접속 │ ② 회원가입 │ ③ 접수

→ 기업 회원가입 후 →

대전기업정보포털 │ 사업공고에서 접수

원클릭서비스 인증

접속 www.dips.or.kr/ │ 클릭

로그인

↓

⑥온라인 접수증 │ ④ 온라인 신청서

⑤서류첨부 및 완료

출력 │ 작성

← │ ← (과제신청) 신청서

신청완료에 따른 │ 제출서류 첨부 후

양식 내 기업

접수증 출력 │ 등록완료/신청완료

해당내용 입력

유의사항 : 접수마감일 18시에 전산접수 시스템 자동 마감

– 온라인 신청 마감일 당일은 접속자가 많아 등록이 어려울 수 있으니 유의하여 주시기 바랍니다.

– 전산접수와 관련된 신청방법 및 자세한 사항은 대전기업정보포털(www.dips.or.kr) 참조

선도형 양자공정 오픈팹 인프라 구축사업 선정절차 및 평가기준

– 평가방법 : 지원기업 제출 신청서(첨부서류 포함)에 기초한 서면 평가

– 평가항목 : 지원의 필요성 및 타당성, 사업목표 및 추진 내용의 명확성, 신청

과제(제품)의 기술성 및 상품성, 과제 아이템의 양자팹 구축 예정

장비 연계 활용방안, 향후 활용계획 및 기대효과 등(대전 소재기

업의 경우 우대가점 적용)

– 선정기준

‧ 평가위원 점수의 산술평균(최저, 최고점수 제외) 70점 이상 고득점 순으로

예산범위 내에서 선정

‧ 추가예산 배정 및 지원포기 등 고려하여 후보기업 지정 가능

‧ 기업별 지원항목 및 지원금액은 평가위원회 의결을 통해 확정

지원대상의 유사과제 검토 포함

제출서류

No │ 제출서류 │ No │ 제출서류

1 사업신청서 제출양식 │ 2 사업자등록증(원클릭 제출)

3 국세 납세증명서(원클릭 제출) │ 4 지방세 납세증명서(원클릭 제출)

사업장 자격취득자 명부 │ 참여제한 예외 조항에 대한 증빙 서류

5 │ 6

(제출일 기준 조회) │ (해당 시)

재무제표(`23,`24, `25년)(원클릭 제출)

7 ※ 개인사업자는 직접 작성하여 제출

단, `24년 재무제표 미확정 기업은 부가가치세 과세표준증명원 제출

고용현황 증빙서류(`23,‘24, `25년)

8

사업장 자격취득자 명부 각 년도의 12월 31일 기준 조회 제출

9 수출실적이 있을 경우 `23,‘24, `25년 직접 수출실적 증명서(한국무역협회 발급 등)

10 기타 기술력을 증명할 수 있는 서류 및 기타 필요한 서류(해당시에만 제출)

온라인 접수 시, 압축하여 1개의 첨부파일로 등록(파일 등록 시, 1개까지만 등록 가능)

사업자등록증명원, 국세‧지방세 납세증명서는 최근 3개월 내 발행본으로 제출

최종선정 후 협약시 원본서류 별도 제출 예정

문의처(담당자 안내)

지원사업 문의

– 대전TP 양자산업팀 (Tel. 042-930-4350)

별첨1】 양자팹 구축 예정 주요장비 사양 (사업계획서 내 양자팹 연계 활용 작성시 참조)

일부 장비 및 장비 세부사항은 구축과정에서 변동될 수 있음

용도 │ 장비명 │ 사양 │ 비고

정밀도

– 최소 선폭: 300 nm (Hi-Res 모드)

– 3σ 옆면 거칠기: 50 nm (Hi-Res 모드)

– 무봉제 벡터 구동 모드: 가능

– 회색조 레벨: 128 (Advanced mode에

서 256)

Laser writer (DWL 66plus) │ ○ 속도

패터닝

(그레이스케일 2.5D 다이렉트 레이저 라이터) │ - 고속 모드 유무: 존재

– 고속 모드 쓰기 속도; (1 마이크론 해상

도에서)150 mm2/min(405 nm 다이오

드), 110 mm2/min(375 nm 다이오드)

기판 사양

– 최대 쓰기 영역: 200 mm ✕ 200 mm

– 최대 기판 두께: 12 mm

열 전계 방출 전자총

가속 전압 / 최소 빔 직경 : 100 kV /

1.8 nm

전자빔 전류 : 5 pA – 200 nA

빔 전류 안정성 : ≤0.2 %/h

최소 선폭 8 nm 이하(@ 가속전압 100

kV)

필드 스티칭 정확도 : 10 nm 미만(@ 가

속전압 100 kV)

오버레이 정확도 : 10 nm 미만(@ 가속

패터닝 전자빔 리소그래피

전압 100 kV)

빔 위치 정확도 : ≤60 nm/h (필드 크

기 1000 um) / ≤10 nm/h (필드 크기

100 um)

최대 스캔 속도 : 125MHz

최대 필드 크기 : 1000 um x 1000 um

기판 크기 : 조각에서 6인치 웨이퍼 로

드 가능. 8인치 웨이퍼 옵션 가능

리소그라피 쓰기 영역 : 170 mm x 170

mm 이상

광학적 미세 패턴 장비

패터닝 i-Line stepper │ ○ Resolution 350 nm,

Exposure area 22 mm

식각 ICP-RIE │ ○ SiN/ Si 전용

식각 ICP-RIE │ ○ Oxide 전용

식각 이온 빔 밀링 시스템 │ ○ Diamond, SiC, LN, 반도체 식각

Si3N4 deposition

유전제

LPCVD (Low-pressure CVD) │ ○ SiO2 deposition

박막 증착

piece~6 inch

SiO2, SiN 등

PECVD

유전체 │ ○ 증착 온도 : 370℃ ~ 630℃

(Plasma-enhanced chemical vapor

박막 증착 │ ○ 증착 속도 : 400 nm ~ 500 nm/min

deposition)

piece~6 inch

고품위 고진공 스퍼터링 증착기 │ ○ 반도체 양자점 등 민감 공정용 금속

박막 증착 (UHV sputterer) │ ○ 진공도: 5×10-8 torr 이하

멀티타겟 스퍼터링 증착기 (multi-target │ ○ dielectric 전반

증착

sputterer) │ ○ 진공도: 5×10-7 torr 이하

Al2O3 deposition

HfO2 deposition

증착 ALD

TiO2 deposition

piece~6 inch

용도 │ 장비명 │ 사양 │ 비고

화학처리 wet-bench │ ○ 산/염기

화학처리 wet-bench │ ○ 유기

화학처리 wet-bench │ ○ PR용

Aligned 3D printing

패키징 Nano scribe ○ 초미세 광학 패키징

최소 feature size 100 nm